【新版】

扩散场效应,晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法

[简介]：本套资料涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应器件，包括如下结构：衬底；外延层，设于衬底上；阱区，由外延层背对衬底的一面延伸至外延层内部；源区，由阱区表面延伸至内部；栅氧层，设于外延层上且仅覆盖外延层的一部分；栅...

2、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种横向扩散金-氧-半场效应器件的低压倒置阱注入方法，包括如下步骤：1在硅片表面依次沉积垫层膜和硬质膜；2在硬质膜表面涂光刻胶、曝光，低压倒置阱注入区域的图形转移到光刻胶层上；3采用干法刻蚀刻开...

3、横向扩散金-氧-半场效应器件的低压倒置阱注入方法

[简介]：本套资料公布了一种复合外延制作中压N型系列双扩散型场效应管的制作工艺，其工艺包括投料、第一步外延、第二步外延、第三步外延、第四步外延、场氧化、有源区刻蚀、高浓度硼注入，推结深、磷注入，推结深、栅氧化、多晶硅栅极淀积和掺...

4、一种复合外延制作中压N型系列双扩散型场效应管的制作工艺

[简介]：本套资料提供一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应管的终端结构，包括兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的背面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的正面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层的正面设有P型掺杂...

5、超结纵向双扩散金属氧化物场效应管的终端结构

[简介]：本套资料提供了一种垂直双扩散场效应管及其制造工艺，其工艺过程中在掺杂体区形成之后再垫积多晶硅形成栅极，虽然增加了光刻次数，但两次光刻可以采用光刻板共用的方法来降低生产成本。在耗尽型垂直双扩散场效应管的制造工艺...

6、一种垂直双扩散场效应管及其制造工艺

[简介]：一种高鲁棒性的P型对称横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有P型漂移阱、P型缓冲阱和N型体接触区各两个，在P型缓冲阱内分别设有P型漏区和P型源区，在N型外延层的表面设有...

7、一种高鲁棒性的P型对称横向双扩散场效应晶体管

[简介]：垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：漏极、第一导电型半导体衬底及外延层；第一导电型半导体外延层内包括隔开的第二导电型半导体第一阱区、第二导电型半导体第二阱区；第二导电型半导体第一阱区内部设有第一...

8、一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构

[简介]：一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N-阱，在N-阱的内部设有N阱和P阱，在N阱内设有N型体接触区和P型源区，P阱内设有P型漏区，在N-阱、N阱和P阱的表面...

9、一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管

[简介]：本套资料主要内容为一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，在所述轻掺杂漂移区中还包括两...

10、射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上外延生长形成的P型外延层，在所述P型外延层上方淀积一层氧化硅层，在所述氧化硅层上淀积一层金属层并刻蚀形成法拉第层，在所述氧化硅层及法拉第...

11、射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底，在所述P型衬底上生长P型外延层，在所述P型外延层中形成轻掺杂漂移区，在所述P型外延层上方设置有第一层法拉第盾及第二层法拉第盾，所述第一层法拉第盾及第二层法...

12、射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种带双扩散的条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管包括一个半导体衬底、一个高掺杂源区、一个高掺杂漏区、一个双扩散源区、一个栅介质层和...

13、带双扩散的条形栅隧穿场效应晶体管及其制备方法

[简介]：本套资料主要内容为一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括多晶硅栅及法拉第屏蔽层，所述法拉第屏蔽层为多晶硅法拉第屏蔽层。本套资料射频横向双扩散场效应晶体管采用多晶硅法拉第屏蔽层的结构，与传统的制备法拉第屏蔽层工艺相比较...

14、射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种射频横向双扩散场效应晶体管，在P型衬底上生长外延层，所述外延层结构为从下往上分别为P型轻掺杂外延层、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂外延层与N型重掺杂外延层的层叠结构。本套资料的RFLDMOS具有比普通RFLDMO...

15、射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法

[简介]：本套资料涉及半导器件和体集成电路。本套资料针对现有技术VDMOSFET器件工艺，用外延层作高压器件漂移区存在的问题，主要内容为一种VDMOSFET器件制造方法，既可用于制造VDMOSFET分离器件，更适用于BCD和COM集成电路工艺中制作高压器...

16、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法

[简介]：一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有N型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区...

17、一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管

[简介]：提出了一种具有凹陷的源电极接触的横向DMOS及形成横向DMOS的方法。根据本实用新型实施例的横向DMOS包括凹陷的源电极接触，其中该凹陷的源电极接触包括凹陷部分，所述凹陷部分纵向延伸穿过横向DMOS的源区并与其体区接触，并...

18、横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

[简介]：提出了一种具有凹陷的源电极接触的横向DMOS及形成横向DMOS的方法。根据本套资料实施例的横向DMOS包括凹陷的源电极接触，其中该凹陷的源电极接触包括凹陷部分，所述凹陷部分纵向延伸穿过横向DMOS的源区并与其体区接触，并且所...

19、横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：衬底；形成于所述衬底中的深阱以及形成于所述深阱上的浅阱，所述深阱和浅阱的掺杂类型相反；刻蚀所述浅阱和部...

20、横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

[简介]：本套资料提出了一种形成在半导体衬底上的场效应管，栅极、源极和漏极区形成在半导体衬底上，所述的栅极区具有一个横向栅极通道。多个空间分离的沟槽都带有一个导电插头，并与所述的栅极、源极和漏极区电连接，所述的沟槽从所述...

21、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管

22、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管

23、一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

24、横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

25、一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管

26、一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管

27、一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

28、超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构

29、超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构

30、纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构

31、具有超结结构的纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构

32、硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法

33、一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管及其制造方法

34、双扩散金属氧化物半导体场效应管结构及其制造方法

35、射频横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

36、横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

37、集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管

38、横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

39、垂直双扩散型场效应管兼容常规场效应管的制作方法

40、横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构

41、一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法

42、一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法

43、增强型和耗尽型垂直双扩散型场效应管单片集成制作工艺

44、双扩散场效应晶体管制造方法

45、双扩散场效应晶体管制造方法

46、双扩散场效应晶体管制造方法

47、双扩散场效应晶体管制造方法

48、全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法

49、双边扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

50、具有底部源极的横向式扩散金属氧化物场效应晶体管的结构及其方法

51、横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

52、薄硅单扩散场效应晶体管及其制造方法

53、场效应晶体管特别是双扩散场效应晶体管及其制造方法

54、横向双扩散场效应晶体管及含有它的集成电路

55、用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法

56、双卢瑟福横向双扩散场效应晶体管导通电阻的测试电路

57、具有减小导通电阻的双扩散场效应晶体管

58、创建场效应晶体管器件中的各向异性扩散结

59、高压垂直扩散场效应管及其制法

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